FQD19N10TF
Fairchild/ON Semiconductor
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Fairchild/ON Semiconductor FQD19N10TF
| Artikelnummer: | FQD19N10TF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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- Versandinformationen
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-
Fairchild/ON Semiconductor FQD19N10TF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQD19N10TF.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D-Pak Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 7.8A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15.6A (Tc) FQD19N10TF Einzelheiten PDF [English] FQD19N10TF PDF - EN.pdf -
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